BSS209PW Datasheet
BSS209PW Datasheet
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Infineon Technologies
Sito web: https://www.infineon.com
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
BSS209PW
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 580mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.38nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 89.9pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 520mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT323-3 Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 |
