BSO215C Datasheet
BSO215C Datasheet
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Infineon Technologies
Sito web: https://www.infineon.com
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
BSO215C
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Produttore Infineon Technologies Serie SIPMOS® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
