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BSO200N03 Datasheet

BSO200N03 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 640,46 KB
Infineon Technologies
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: BSO200N03
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BSO200N03

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-8