APTM20SKM10TG Datasheet
APTM20SKM10TG Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 286,69 KB
Microsemi
Sito web: https://www.microsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
APTM20SKM10TG
|
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 175A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 694W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SP4 Pacchetto / Custodia SP4 |
