APT35SM70B Datasheet
APT35SM70B Datasheet
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Microsemi
Sito web: https://www.microsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
APT35SM70B
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss) 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 20V Vgs (massimo) +25V, -10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1035pF @ 700V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 176W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
