APT1001R1BN Datasheet
APT1001R1BN Datasheet
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Microsemi
Sito web: https://www.microsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
APT1001R1BN
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Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS IV® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 5.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
