AOUS66616 Datasheet
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie AlphaSGT™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Ta), 92A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2870pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore UltraSO-8™ Pacchetto / Custodia 3-PowerSMD, Flat Leads |
