AON2401 Datasheet
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 8A, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id 650mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1465pF @ 4V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x2) Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
