AOI8N25 Datasheet
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 560mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 306pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-251A Pacchetto / Custodia TO-251-3 Stub Leads, IPak |
