4N35(SHORT Datasheet
4N35(SHORT Datasheet
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Toshiba Semiconductor and Storage
Sito web: http://www.toshiba.com/taec/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
4N35(SHORT,F)
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Numero di canali 1 Tensione - Isolamento 2500Vrms Rapporto di trasferimento corrente (min) 40% @ 10mA Rapporto di trasferimento corrente (massimo) - Tempo di accensione / spegnimento (tipico) 3µs, 3µs Tempo di salita / discesa (tipico) - Tipo di ingresso DC Tipo di output Transistor with Base Tensione - Uscita (Max) 30V Corrente - Uscita / Canale 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Tip) 1.15V Corrente - DC diretta (If) (Max) 60mA Saturazione Vce (Max) 300mV Temperatura di esercizio -55°C ~ 100°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 6-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 6-DIP |
