2SK3666-2-TB-E Datasheet
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 600µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 180mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 200 Ohms Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 180mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 200 Ohms Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP |
