2SK3132(Q) Datasheet
2SK3132(Q) Datasheet
Totale pagine: 6
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Toshiba Semiconductor and Storage
Sito web: http://www.toshiba.com/taec/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
2SK3132(Q)
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P(L) Pacchetto / Custodia TO-3PL |
