2SK2315TYTR-E Datasheet
2SK2315TYTR-E Datasheet
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Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
2SK2315TYTR-E
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 173pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore UPAK Pacchetto / Custodia TO-243AA |
