2SA965-Y Datasheet
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 120MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore LSTM |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 120MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore LSTM |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 120V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 120MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore LSTM |
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