2N4859A Datasheet
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Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max 250pA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 10V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On) 25 Ohms Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 |
